发布网友 发布时间:2024-05-14 21:46
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热心网友 时间:2024-05-31 22:44
1.本技术涉及电子技术领域,具体涉及一种开关电路及电子设备背景技术:2.静电放电(electrostatic discharge,esd)是造成大多数的电子元件或电子系统受到过度电性应力(electrical overstress,eos)破坏的主要因素。这种破坏会导致半导体元件以及电脑系统等受到永久性的毁坏,因而影响集成电路(integrated circuits,ics)的电路功能,而使得电子产品工作不正常。3.传统高速开关一般无系统级esd保护能力,或者在芯片内置tvs(transient voltage suppressor,瞬态电压抑制器)管以提高esd保护能力,但是内置tvs会造成芯片面积较大。4.如何在不增加芯片面积的基础上,提高esd保护能力是目前亟待解决的问题。技术实现要素:5.鉴于此,本技术提供一种开关电路及电子设备,以解决现有的高速开关通过内置tvs进行esd防护时造成芯片面积较大的问题。6.本技术提供一种开关电路,包括:高速开关模块和外置吸收模块;所述高速开关模块,包括第一端和至少一第二端,所述第一端与所述外置吸收模块连接,所述第二端作为所述开关电路的输入/输出端口,所述高速开关模块用于在所述输入/输出端口出现静电放电脉冲时,将产生的静电电流泄放到所述外置吸收模块;外置吸收模块,位于所述高速开关模块的外部,用于吸收所述静电电流。7.可选的,所述开关电路还包括:偏置模块;所述偏置模块,与所述外置吸收模块连接,用于根据输入的第一电压输出偏置电压;所述外置吸收模块还用于根据所述偏置电压充电至固定电位。